| 专利名称 | 场效应二极管 | 申请号 | CN201620054295.5 | 专利类型 | 实用新型 | 公开（公告）号 | CN205542798U | 公开（授权）日 | 2016.08.31 | 申请（专利权）人 | 中国科学院物理研究所 | 发明（设计）人 | 张永晖;梅增霞;梁会力;杜小龙 | 主分类号 | H01L29/87(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L29/87(2006.01)I;H01L29/417(2006.01)I | 专利有效期 | 场效应二极管 至场效应二极管 | 法律状态 | 说明书摘要 | 本实用新型提供了一种场效应二极管，包括：依次堆叠的导电层、绝缘层和沟道层；与所述沟道层接触的第一电极和第二电极，所述第二电极与所述导电层电连接。本实用新型的场效应二极管具有高整流比。 |
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