| 专利名称 | 一种基于砷化铟衬底的II类超晶格结构 | 申请号 | CN201620028541.X | 专利类型 | 实用新型 | 公开（公告）号 | CN205542814U | 公开（授权）日 | 2016.08.31 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海技术物理研究所 | 发明（设计）人 | 王芳芳;陈建新;徐志成;周易 | 主分类号 | H01L31/0304(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L31/0304(2006.01)I;H01L31/0236(2006.01)I;H01L31/18(2006.01)I | 专利有效期 | 一种基于砷化铟衬底的II类超晶格结构 至一种基于砷化铟衬底的II类超晶格结构 | 法律状态 | 说明书摘要 | 本实用新型公开了一种基于砷化铟衬底的II类超晶格结构。其结构自下而上依次为镓砷锑层和砷化铟层。与传统的II类超晶格结构相比，其特点在于：(1)原有的GaSb衬底被InAs衬底替代，使得超晶格生长温度大幅度提高，生长温度的提高有利于表面原子扩散长度的增加，因此更有利于材料的二维生长和材料缺陷密度的降低；(2)原有的四层结构生长模式(InAs/InSb/GaSb/InSb)被两层结构生长模式(InAs/GaAsSb)替代，结构更加简单,更有利于实现高质量超晶格的生长；(3)砷化铟层厚度的变化对InAs基II类超晶格的失配影响较小，极大地降低了长波、尤其是甚长波材料的生长难度，更易于提高材料的性能和质量。 |
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