| 专利名称 | 一种氮化镓基绝缘栅双极晶体管 | 申请号 | CN201521006351.X | 专利类型 | 实用新型 | 公开（公告）号 | CN205428936U | 公开（授权）日 | 2016.08.03 | 申请（专利权）人 | 北京华进创威电子有限公司;中国科学院半导体研究所 | 发明（设计）人 | 王晓亮;闫俊达;李百泉;王权;肖红领;冯春;殷海波;姜丽娟;邱爱芹;介芳 | 主分类号 | H01L29/66(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L29/66(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I;H01L29/739(2006.01)I | 专利有效期 | 一种氮化镓基绝缘栅双极晶体管 至一种氮化镓基绝缘栅双极晶体管 | 法律状态 | 说明书摘要 | 本申请公开了一种氮化镓基绝缘栅双极晶体管，该氮化镓基绝缘栅双极晶体管从下至上依次包括：集电极金属层、P+氮化镓衬底、N-型氮化镓漂移层、P+氮化镓注入区、N+氮化镓注入区、SiO2介质层、栅极金属层、SiO2介质层和发射极金属层。该晶体管的制造工艺过程简单、重复性好、可靠性高。经过合理的外延层结构设计与合适的注入掺杂，实现了氮化镓基绝缘栅双极晶体管所需的基本材料结构。此外，该晶体管保证了器件具有很高的击穿电压与通态电流。 |
1、源头对接，价格透明
2、平台验证，实名审核
3、合同监控，代办手续
4、专员跟进，交易保障