| 专利名称 | 具有异质结结构的GaN基p型场效应管 | 申请号 | CN201620028540.5 | 专利类型 | 实用新型 | 公开（公告）号 | CN205376534U | 公开（授权）日 | 2016.07.06 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海技术物理研究所 | 发明（设计）人 | 薛世伟;王玲;李晓娟;王继强;谢晶;张燕;刘诗嘉;李向阳 | 主分类号 | H01L29/778(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L29/778(2006.01)I;H01L29/205(2006.01)I;H01L29/423(2006.01)I;H01L21/335(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I | 专利有效期 | 具有异质结结构的GaN基p型场效应管 至具有异质结结构的GaN基p型场效应管 | 法律状态 | 说明书摘要 | 本专利公开了一种具有异质结结构的GaN基p型场效应管，以具有p型AlGaN材料以及p型GaN材料的多层材料为基体材料。利用电子束蒸发依次生长Ni、Au、Ni和Au形成多层金属，作为器件的源端电极和漏端电极。为了精确控制栅长为2μm的区域，利用ICP刻蚀钝化层，然后用电子束蒸发生长的单层金属Au作为器件的栅电极。本专利的优点在于：利用p型GaN与p型AlGaN形成异质结处高浓度的二维空穴气，提高p型器件的电学性能；所用的外延材料以及工艺与制备日盲紫外器件兼容，为制备有源紫外器件打下了技术基础。 |
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