| 专利名称 | 一种GaN基双异质结HEMT器件 | 申请号 | CN201620030231.1 | 专利类型 | 实用新型 | 公开（公告）号 | CN205376535U | 公开（授权）日 | 2016.07.06 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海技术物理研究所 | 发明（设计）人 | 陈效双;姚路驰;王林;胡伟达;陆卫 | 主分类号 | H01L29/778(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L29/778(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I;H01L29/15(2006.01)I;H01L29/205(2006.01)I;H01L21/335(2006.01)I | 专利有效期 | 一种GaN基双异质结HEMT器件 至一种GaN基双异质结HEMT器件 | 法律状态 | 说明书摘要 | 本专利公开了一种GaN基双异质结HEMT器件，其结构依次为：蓝宝石衬底上依次形成的GaN缓冲层、AlInN势垒层、GaN沟道层、AlGaN隔离层、AlGaN势垒层，AlGaN栅介质层，AlGaN栅介质层上形成的源极、栅极和漏极，以及源极和栅极之间形成的Si3N4源栅绝缘层、源极和漏极之间形成的Si3N4漏栅绝缘层。其特征是，在传统GaN?HEMT器件的GaN缓冲层和GaN沟道层之间加入一层AlInN势垒层，利用AlInN材料的压电极化性质降低器件的电流崩塌效应，并形成AlGaN/GaN/AlInN量子阱结构，进一步提高了对二维电子气的束缚力，从而降低电流坍塌效应。 |
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