一种纯永磁型永磁波荡器的磁结构

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专利名称 一种纯永磁型永磁波荡器的磁结构 申请号 CN201521074119.X 专利类型 实用新型 公开(公告)号 CN205376240U 公开(授权)日 2016.07.06 申请(专利权)人 中国科学院上海应用物理研究所 发明(设计)人 何永周;周巧根 主分类号 H01F7/02(2006.01)I IPC主分类号 H01F7/02(2006.01)I;G21K1/00(2006.01)I 专利有效期 一种纯永磁型永磁波荡器的磁结构 至一种纯永磁型永磁波荡器的磁结构 法律状态 说明书摘要 本实用新型提供一种纯永磁型永磁波荡器的磁结构,包括周期性排列在电子束传输路径两侧的两排永磁体组,两排之间形成磁间隙,每个波荡器周期长度内包括两个间隔设置的水平磁场源和垂直磁场源,水平磁场源由第一永磁体构成,垂直磁场源由第二永磁体构成,其中,所述第一永磁体的内禀矫顽力比所述第二永磁体的内禀矫顽力高,而所述第一永磁体的剩磁比所述第二永磁体的剩磁低。本实用新型可以在保证纯永磁型波荡器安全运行的同时,较大幅度提高波荡器磁场强度。

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