| 专利名称 | CMOS图像传感器像元合并读出电路结构 | 申请号 | CN201620030246.8 | 专利类型 | 实用新型 | 公开（公告）号 | CN205378049U | 公开（授权）日 | 2016.07.06 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海技术物理研究所 | 发明（设计）人 | 解宁;丁毅;王欣;李梧萤;陈世军 | 主分类号 | H04N5/374(2011.01)I | IPC主分类号 | H04N5/374(2011.01)I;H04N5/3745(2011.01)I;H04N5/378(2011.01)I | 专利有效期 | CMOS图像传感器像元合并读出电路结构 至CMOS图像传感器像元合并读出电路结构 | 法律状态 | 说明书摘要 | 本专利公开了一种CMOS图像传感器像元合并读出电路结构。该结构包括列总线，列放大器，列读出复位开关、列选通开关，列合并电容，列合并控制开关，列合并总线，列合并输出开关，行合并电容，合并复位开关，行合并控制开关，行合并总线及输出放大器。系统工作时，由列总线依次选取待合并像元所在行，通过列合并控制开关和行合并控制开关完成行列像元合并操作，最终经输出放大器输出像元合并后的信号。本专利的优点在于实现了CMOS图像传感器任意规模的像元合并功能，同时提升了信噪比和帧频。 |
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