一种金纳米球二维阵列结构、制备方法和用途

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专利名称 一种金纳米球二维阵列结构、制备方法和用途 申请号 CN201610104071.5 专利类型 发明专利 公开(公告)号 CN105712293A 公开(授权)日 2016.06.29 申请(专利权)人 国家纳米科学中心 发明(设计)人 葛广路;张卓;王瑞敏;张晓锐 主分类号 B82B1/00(2006.01)I IPC主分类号 B82B1/00(2006.01)I;B82B3/00(2006.01)I;G01N21/01(2006.01)I;B82Y40/00(2011.01)I 专利有效期 一种金纳米球二维阵列结构、制备方法和用途 至一种金纳米球二维阵列结构、制备方法和用途 法律状态 实质审查的生效 说明书摘要 本发明涉及一种金纳米球二维阵列的方法,所述方法包括如下步骤:将包覆有十六烷基三甲基溴化铵的金纳米球溶液滴加在硅片上,经过溶剂挥发自组装得到金纳米球二维阵列;所述自组装条件为:首先在10~18℃的温度,10~20%的湿度下保持2h,然后在10~20min之内将温度调整至22~28℃,湿度调整至25~35%,并保持直至样品干燥。本发明制备方法简单,易操作,制备得到的金纳米颗粒二维阵列结构稳定,其中的金纳米颗粒排列规整且紧密,应用于生物分子及小分子的拉曼检测具有更高的检测精度。

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