| 专利名称 | 一种分体式碳化硅晶体生长用坩埚 | 申请号 | CN201521114037.3 | 专利类型 | 实用新型 | 公开（公告）号 | CN205241854U | 公开（授权）日 | 2016.05.18 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海硅酸盐研究所 | 发明（设计）人 | 孔海宽;忻隽;陈建军;郑燕青;施尔畏 | 主分类号 | C30B29/36(2006.01)I | IPC主分类号 | C30B29/36(2006.01)I;C30B23/02(2006.01)I | 专利有效期 | 一种分体式碳化硅晶体生长用坩埚 至一种分体式碳化硅晶体生长用坩埚 | 法律状态 | 说明书摘要 | 本实用新型提供了一种分体式碳化硅晶体生长用坩埚，包括：用于盛放SiC晶体生长用原料的原料腔；相对移动地嵌套于所述原料腔的上部以形成晶体结晶区域的生长腔，所述生长腔具备生长室、和设于所述生长室的顶壁上的籽晶托；所述生长室的侧壁形成为由内筒与外筒构成的双层结构。本实用新型的坩埚在生长过程中能够调节晶体表面与原料表面的距离，保持温度场的稳定性。 |
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