| 专利名称 | CdTe薄膜太阳电池的背接触结构、其制备方法与CdTe薄膜太阳电池 | 申请号 | CN201511030285.4 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN105576049A | 公开（授权）日 | 2016.05.11 | 申请（专利权）人 | 中国科学技术大学 | 发明（设计）人 | 王德亮;李珣;沈凯 | 主分类号 | H01L31/0224(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L31/0224(2006.01)I;H01L31/032(2006.01)I;H01L31/0352(2006.01)I;H01L31/0725(2012.01)I | 专利有效期 | CdTe薄膜太阳电池的背接触结构、其制备方法与CdTe薄膜太阳电池 至CdTe薄膜太阳电池的背接触结构、其制备方法与CdTe薄膜太阳电池 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明提供了一种CdTe薄膜太阳电池的背接触结构，包括依次叠加设置的第一过渡金属氧化物薄膜、第二CdTe薄膜、Cu金属薄膜和金属背电极。本申请通过在两层CdTe薄膜之间设置过渡金属氧化物薄膜，以阻挡Cu原子向CdTe层及CdS/CdTe异质结区的扩散，在保证低阻接触的情况下提高了太阳电池的稳定性；本申请还提供了所述CdTe薄膜太阳电池的背接触结构的制备方法以及包括所述CdTe薄膜太阳电池背接触结构的太阳电池。 |
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