| 专利名称 | 一种垂直型氮化镓功率开关器件 | 申请号 | CN201521006533.7 | 专利类型 | 实用新型 | 公开（公告）号 | CN205231071U | 公开（授权）日 | 2016.05.11 | 申请（专利权）人 | 北京华进创威电子有限公司;中国科学院半导体研究所 | 发明（设计）人 | 王晓亮;肖红领;李百泉;王权;冯春;殷海波;姜丽娟;邱爱芹;崔磊;介芳 | 主分类号 | H01L29/778(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L29/778(2006.01)I;H01L21/335(2006.01)I | 专利有效期 | 一种垂直型氮化镓功率开关器件 至一种垂直型氮化镓功率开关器件 | 法律状态 | 说明书摘要 | 本申请公开了一种垂直型氮化镓功率开关器件，该开关器件包括：衬底a；N型重掺杂氮化镓层b；电流窗口层c；非故意掺杂高迁移率氮化镓层d；氮化铝插入层e；非有意掺杂铝镓氮势垒层f；欧姆接触源极Source；欧姆接触漏极Drain；肖特基接触栅极Gate。本申请的开关器件具有两个高阻区HR-GaN做为电流阻挡区，电流窗口区g作为垂直的电流通道，可以实现垂直型氮化镓基功率器件，漏极和其它电极（栅极、漏极）不在一个平面上，这样可以避免在材料表面形成高场区，导致表面漏电、表面击穿、虚栅效应引起的电流崩塌等问题；同时，可以减小器件的尺寸，提高晶圆的利用率。 |
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