| 专利名称 | 提升材料生长产能和改善均匀性的样品托盘 | 申请号 | CN201520997293.5 | 专利类型 | 实用新型 | 公开（公告）号 | CN205188476U | 公开（授权）日 | 2016.04.27 | 申请（专利权）人 | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 | 发明（设计）人 | 孙钱;严威;冯美鑫;杨辉 | 主分类号 | C30B25/12(2006.01)I | IPC主分类号 | C30B25/12(2006.01)I | 专利有效期 | 提升材料生长产能和改善均匀性的样品托盘 至提升材料生长产能和改善均匀性的样品托盘 | 法律状态 | 说明书摘要 | 本实用新型公布了一种提升材料生长产能和改善均匀性的样品托盘，包括样品托盘本体，所述样品托盘本体上端面的选定区域内分布有两个以上第一片槽，而所述样品托盘本体上端面上除所述选定区域之外的其余区域内还分布有至少一第二片槽，所述第一片槽的直径为4英寸、6英寸或8英寸，所述第二片槽的直径为2英寸或4英寸，且所述第一片槽的直径大于第二片槽的直径。本实用新型通过对现有大尺寸样品托盘进行改良设计，既能改善样品托盘上样品的分布均匀性，又能提高了样品托盘的使用率，使之适用于生长不同尺寸的半导体薄膜，可以有效提高半导体材料的生长产能，并降低材料生长成本，尤其适用于MOCVD、HVPE、PECVD、ALD、MBE等多种薄膜生长设备。 |
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