| 专利名称 | 一种用于2.79μm有效补偿热退偏效应的激光器结构 | 申请号 | CN201520931404.2 | 专利类型 | 实用新型 | 公开（公告）号 | CN205195037U | 公开（授权）日 | 2016.04.27 | 申请（专利权）人 | 中国科学院合肥物质科学研究院 | 发明（设计）人 | 王金涛;程庭清;王礼;邢庭伦;胡舒武;崔庆哲;吴先友;江海河 | 主分类号 | H01S3/115(2006.01)I | IPC主分类号 | H01S3/115(2006.01)I;H01S3/16(2006.01)I;H01S3/042(2006.01)I;H01S3/0941(2006.01)I | 专利有效期 | 一种用于2.79μm有效补偿热退偏效应的激光器结构 至一种用于2.79μm有效补偿热退偏效应的激光器结构 | 法律状态 | 说明书摘要 | 本实用新型公开了一种用于2.79μm有效补偿热退偏效应的激光器结构，包括全反腔片、调Q晶体、起偏器、半导体泵浦模块、激光棒、输出腔片、退压调Q高压模块、激光电源和激光水冷系统。半导体泵浦模块通过激光电源提供能量发光，产生的光泵浦光对准激光棒发射以便最大限度的进入激光棒内对激光棒进行泵浦；起偏器用于产生分离P光和S光，使P光和S光分别在两支路中形成振荡，以有效地补偿热退偏效应；调Q晶体和起偏器串联组成电光Q开关，调Q晶体由退压调Q模块提供1/4波电压形成所述电场，并通过激光电源控制调Q电压的脉冲时间；激光电源为半导体泵浦模块提供能量并同时控制水冷系统、电光Q开关等进行协调工作。 |
1、源头对接，价格透明
2、平台验证，实名审核
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