| 专利名称 | 薄膜太阳能电池及其缓冲层的制备方法 | 申请号 | CN201511019482.6 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN105514198A | 公开（授权）日 | 2016.04.20 | 申请（专利权）人 | 深圳先进技术研究院 | 发明（设计）人 | 刘艳云;顾光一;冯叶;冯丽丽;童君;马续航;宋秋明;杨春雷;肖旭东 | 主分类号 | H01L31/0445(2014.01)I | IPC主分类号 | H01L31/0445(2014.01)I;H01L31/0216(2014.01)I;H01L31/0264(2006.01)I | 专利有效期 | 薄膜太阳能电池及其缓冲层的制备方法 至薄膜太阳能电池及其缓冲层的制备方法 | 法律状态 | 专利申请权、专利权的转移 | 说明书摘要 | 本发明涉及一种薄膜太阳能电池，包括依次叠合的衬底、背电极层、光吸收层、缓冲层和透明导电层，缓冲层包括多层子缓冲层，子缓冲层为Zn1-xMgxO，其中0≤x≤t，0.2≤t≤0.4，随光吸收层至透明导电层的方向上，多层子缓冲层的x值在0～t内逐渐减小。上述缓冲层的一侧为ZnO，另一侧为Zn1-tMgtO。Zn1-tMgtO的导带底略高于CIGS吸收层的导带，ZnO的能带与透明导电层的能带完美对接，因此减少了缓冲层与吸收层界面处的载流子复合，提高了开路电压。同时避免了缓冲层的导带底显著高于CIGS吸收层的导带形成较高的电子势垒，进而阻碍电子的运输导致短路电流密度降低的问题，可使薄膜太阳能电池的开路电压与短路电流密度共同提高。本发明还提供了薄膜太阳能电池缓冲层的制备方法。 |
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