| 专利名称 | 阳极场辅磁控溅射镀膜装置 | 申请号 | CN201520836093.1 | 专利类型 | 实用新型 | 公开（公告）号 | CN205152320U | 公开（授权）日 | 2016.04.13 | 申请（专利权）人 | 中国科学院兰州化学物理研究所 | 发明（设计）人 | 张斌;张俊彦;高凯雄;强力;王健 | 主分类号 | C23C14/35(2006.01)I | IPC主分类号 | C23C14/35(2006.01)I | 专利有效期 | 阳极场辅磁控溅射镀膜装置 至阳极场辅磁控溅射镀膜装置 | 法律状态 | 说明书摘要 | 本实用新型属于物理气相沉积领域，公开了一种阳极场辅磁控溅射镀膜装置，该装置包括真空腔体、工件盘和至少两个由电源Ⅰ供电的磁控溅射靶，在相邻的磁控溅射靶之间设有由电源Ⅱ供电的水冷阳极，在真空腔体内形成闭环结构。本实用新型将等高的水冷阳极和磁控溅射靶复合，增强了离化率的同时提高了腔体等离子体均匀性。 |
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