| 专利名称 | 箍缩磁场辅助磁控溅射镀膜装置 | 申请号 | CN201520840237.0 | 专利类型 | 实用新型 | 公开（公告）号 | CN205152322U | 公开（授权）日 | 2016.04.13 | 申请（专利权）人 | 中国科学院兰州化学物理研究所 | 发明（设计）人 | 张斌;张俊彦;强力;高凯雄;王健 | 主分类号 | C23C14/35(2006.01)I | IPC主分类号 | C23C14/35(2006.01)I | 专利有效期 | 箍缩磁场辅助磁控溅射镀膜装置 至箍缩磁场辅助磁控溅射镀膜装置 | 法律状态 | 说明书摘要 | 本实用新型公开了一种箍缩磁场辅助磁控溅射镀膜装置，属于表面处理和真空技术领域。该装置包括由偏压电源供电的工件盘以及由电源Ⅱ供电的磁控溅射靶，该磁控溅射靶的前方设有由电源Ⅲ供电的线圈。本实用新型产生的高功率脉冲磁场进一步提高磁控溅射的离化率和电子温度，增大带电离子的数量。 |
1、源头对接，价格透明
2、平台验证，实名审核
3、合同监控，代办手续
4、专员跟进，交易保障