| 专利名称 | 具高功率脉冲离子源的磁控溅射装置 | 申请号 | CN201520840239.X | 专利类型 | 实用新型 | 公开（公告）号 | CN205152323U | 公开（授权）日 | 2016.04.13 | 申请（专利权）人 | 中国科学院兰州化学物理研究所 | 发明（设计）人 | 张斌;张俊彦;高凯雄;强力;王健 | 主分类号 | C23C14/35(2006.01)I | IPC主分类号 | C23C14/35(2006.01)I | 专利有效期 | 具高功率脉冲离子源的磁控溅射装置 至具高功率脉冲离子源的磁控溅射装置 | 法律状态 | 说明书摘要 | 本实用新型属于物理气相沉积领域，涉及一种具高功率脉冲离子源的磁控溅射装置。该装置包括由偏压电源供电的工件盘、与真空泵组相连的真空腔体，真空腔体内设有不少于2个的由电源Ⅰ供电的磁控溅射靶，相邻的磁控溅射靶之间设有由电源Ⅱ供电的高功率脉冲离子源，在真空腔体内形成闭环结构。本实用新型将高功率脉冲离子源同磁控溅射相复合，消除了高功率脉冲电源作为磁控溅射电源时产生的离子回流现象，保证了磁控溅射所需的高离化密度，高功率脉冲离子源提高了薄膜的沉积速率。 |
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