| 专利名称 | 一种导电银膜的制备方法 | 申请号 | CN201610076435.3 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN105489267A | 公开（授权）日 | 2016.04.13 | 申请（专利权）人 | 中国科学院化学研究所 | 发明（设计）人 | 李媛;李书沐;李文博;宋延林 | 主分类号 | H01B1/22(2006.01)I | IPC主分类号 | H01B1/22(2006.01)I;H01B13/00(2006.01)I;B22F1/00(2006.01)I | 专利有效期 | 一种导电银膜的制备方法 至一种导电银膜的制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了属于二维银纳米材料自组装技术领域的一种导电银膜的制备方法。该方法首先采用旋蒸法将表面包裹表面活性剂的银纳米颗粒的分散液中的溶剂除去，得到干燥的表面包裹表面活性剂的银纳米颗粒；将干燥的表面包裹表面活性剂的银纳米颗粒分散到极性溶剂中，然后将疏水处理后的基底浸入其中，银纳米颗粒在基底上自组装形成银膜；将基底取出，待极性溶剂挥发完全后放入处理剂中密封浸泡，最终得到导电银膜。本发明合成的导电银膜孔隙率小、导电性优良、成膜性好，生产成本低廉、转化率高，制备过程操作简单，可实现工业化、批量化生产。解决了现有技术中导电银膜孔隙大、需要高温烧结等问题。 |
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