| 专利名称 | AlxGa1-xN基紫外探测器及制备方法 | 申请号 | CN201510967933.2 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN105374903A | 公开（授权）日 | 2016.03.02 | 申请（专利权）人 | 中国科学院半导体研究所 | 发明（设计）人 | 赵德刚;李晓静;江德生;刘宗顺;朱建军;陈平 | 主分类号 | H01L31/18(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L31/18(2006.01)I;H01L31/0304(2006.01)I;H01L31/101(2006.01)I | 专利有效期 | AlxGa1-xN基紫外探测器及制备方法 至AlxGa1-xN基紫外探测器及制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 一种AlxGa1-xN基紫外探测器及制备方法，该AlxGa1-xN基紫外探测器，包括：一衬底，所述衬底的材料为蓝宝石、硅、碳化硅、氮化镓或砷化镓；一N型欧姆接触层，该N型欧姆接触层制作在衬底上；一有源层，该有源层制作在N型欧姆接触层上的一侧，该N型欧姆接触层上的另一侧形成一台面；一P型欧姆接触层，该p型欧姆接触层制作在有源层上；一重掺P型欧姆接触盖层，该重掺p型欧姆接触盖层制作在p型欧姆接触层上；一P型欧姆接触透明电极，该P型欧姆接触透明电极制作在重掺P型欧姆接触盖层上；一N型欧姆接触电极，该N型欧姆接触电极制作在N型欧姆接触层的台面上；一P型加厚电极，该P型加厚电极制作在P型欧姆接触透明电极上，其面积远小于P型欧姆接触透明电极的面积。 |
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