一种用于高光谱成像的波段选择性增强量子阱红外焦平面

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专利名称 一种用于高光谱成像的波段选择性增强量子阱红外焦平面 申请号 CN201520736394.7 专利类型 实用新型 公开(公告)号 CN205039169U 公开(授权)日 2016.02.17 申请(专利权)人 中国科学院上海技术物理研究所 发明(设计)人 李志锋;景友亮;陆卫;李宁;陈效双;陈平平;李天信;王文娟;甄红楼;王少伟 主分类号 H01L31/09(2006.01)I IPC主分类号 H01L31/09(2006.01)I;H01L27/146(2006.01)I;G01J5/20(2006.01)I 专利有效期 一种用于高光谱成像的波段选择性增强量子阱红外焦平面 至一种用于高光谱成像的波段选择性增强量子阱红外焦平面 法律状态 说明书摘要 本专利公开了一种用于高光谱成像的波段选择性增强量子阱红外焦平面。将等离激元微腔集成到QWIP焦平面像元,该微腔能够有效地捕获入射光子,将其局域在等离激元微腔内形成横向传播的法布里-珀罗共振驻波,并且与微腔中的QWIP耦合转化为光电流从而提升焦平面器件的响应率性能。共振驻波的中心波长取决于微腔的几何尺寸,在不同的焦平面像元上设计制备不同尺寸的微腔将使像元的响应峰值波长也各不相同,形成像元的波段选择性响应。将所选择的波段与高光谱分光波段相对应地分布在焦平面像元上,使高光谱成像应用中各波段的像元响应率得的选择性提升,从而提升整个高光谱成像焦平面的探测灵敏度。

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