| 专利名称 | FinFET及其制造方法 | 申请号 | CN201510612319.4 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN105304715A | 公开（授权）日 | 2016.02.03 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 朱慧珑;许淼;梁擎擎;尹海洲 | 主分类号 | H01L29/78(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L29/78(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I;H01L29/66(2006.01)I | 专利有效期 | FinFET及其制造方法 至FinFET及其制造方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 公开了一种半导体器件。该半导体器件包括：半导体衬底；在半导体衬底上形成的半导体鳍状结构；以及在鳍状结构中距离鳍状结构的顶面一定距离形成的穿通阻止层，其中，穿通阻止层与鳍状结构位于穿通阻止层之上的部分之间具有掺杂浓度界面。 |
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