| 专利名称 | 绒面硼掺杂氧化锌基透明导电薄膜的生长方法和生长装置 | 申请号 | CN201510604391.2 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN105304752A | 公开（授权）日 | 2016.02.03 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海硅酸盐研究所 | 发明（设计）人 | 徐小科;吴永庆;李效民;高相东 | 主分类号 | H01L31/18(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L31/18(2006.01)I | 专利有效期 | 绒面硼掺杂氧化锌基透明导电薄膜的生长方法和生长装置 至绒面硼掺杂氧化锌基透明导电薄膜的生长方法和生长装置 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明涉及绒面硼掺杂氧化锌基透明导电薄膜的生长方法和生长装置，该生长方法利用常压化学气相沉积法，包括如下步骤：1）将衬底置于真空室的衬底基板中，并使真空室中的气压为1×10-2Pa或更低，且将衬底基板加热至160℃～240℃；2）向所述真空室通入二乙基锌蒸气、H2O蒸气、B2H6、和H2，其中二乙基锌蒸气、H2O蒸气、B2H6、和H2的流量比为（8～12）：（8～12）：（4～6）：（0.8～1.2），保持真空室内的气压稳定在0.2torr～1torr，沉积3分钟以上，制得绒面硼掺杂氧化锌基透明导电薄膜。本发明通过精确调控反应气体组分、气体流量比例、生长时间等参数，可生长出（110）取向且具有良好光散射性能的氧化锌基透明导电薄膜。 |
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