一种宽响应谱的太赫兹量子阱光电探测器及其制备方法

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专利名称 一种宽响应谱的太赫兹量子阱光电探测器及其制备方法 申请号 CN201510755793.2 专利类型 发明专利 公开(公告)号 CN105244391A 公开(授权)日 2016.01.13 申请(专利权)人 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 发明(设计)人 张戎;曹俊诚;邵棣祥 主分类号 H01L31/0352(2006.01)I IPC主分类号 H01L31/0352(2006.01)I;H01L31/18(2006.01)I 专利有效期 一种宽响应谱的太赫兹量子阱光电探测器及其制备方法 至一种宽响应谱的太赫兹量子阱光电探测器及其制备方法 法律状态 实质审查的生效 说明书摘要 本发明提供一种宽响应谱的太赫兹量子阱光电探测器及其制备方法,所述宽响应谱的太赫兹量子阱光电探测器包括:衬底、下电接触层、第一多量子阱层、中电接触层、第二多量子阱层以及上电接触层。本发明具有以下有益效果:本发明的太赫兹量子阱光电探测器具有非常宽的响应谱,单个器件即可有效覆盖1.5~8THz频率范围,半高宽达2.84THz,比现有普通太赫兹量子阱光电探测器提升约89%。本发明结构和制作方法简单,效果显著,在半导体光电器件技术领域具有广泛的应用前景。

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