| 专利名称 | 一种单晶硅空心微针结构的制作方法 | 申请号 | CN201410253151.8 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN105217565A | 公开（授权）日 | 2016.01.06 | 申请（专利权）人 | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 | 发明（设计）人 | 俞骁;付思齐;张宝顺 | 主分类号 | B81C1/00(2006.01)I | IPC主分类号 | B81C1/00(2006.01)I;A61M37/00(2006.01)I | 专利有效期 | 一种单晶硅空心微针结构的制作方法 至一种单晶硅空心微针结构的制作方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种单晶硅异平面空心微针结构的制作方法，在一典型实施案例中，该方法可以包括：先在（100）型硅片正面用深硅干法刻蚀方法制作非贯通的孔状槽；用热氧化方法在硅片正反面以及孔内壁形成厚氧化层；在硅片正面和背面用涂胶光刻方法分别形成腐蚀窗口图形；用干法或湿法腐蚀方法将窗口内的氧化硅去除，露出衬底硅；去除光刻胶后用单晶硅各向异性腐蚀液对硅片进行腐蚀，在上表面形成微针结构，下表面形成槽形结构，并且先前刻蚀形成的深孔贯穿硅片正面微针结构，底部与硅片背面的槽形结构相连。本发明工艺简单，成本低廉，成品率高，适合大批量制造，且所获微针具有结构强度大、一致性好，载药剂量大等优点，在生物医学领域具有应用前景。 |
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