| 专利名称 | 基于二维纳米壁的场发射阴极 | 申请号 | CN201520507686.3 | 专利类型 | 实用新型 | 公开（公告）号 | CN204834554U | 公开（授权）日 | 2015.12.02 | 申请（专利权）人 | 中国科学院苏州生物医学工程技术研究所 | 发明（设计）人 | 邢晓曼;徐品;孙明山;曾维俊 | 主分类号 | H01J1/304(2006.01)I | IPC主分类号 | H01J1/304(2006.01)I | 专利有效期 | 基于二维纳米壁的场发射阴极 至基于二维纳米壁的场发射阴极 | 法律状态 | 说明书摘要 | 本案涉及基于二维纳米壁的场发射阴极，包括：电子发射端，其包括衬板层和纳米壁层，所述纳米壁层呈网格状，并埋覆在所述衬板层中；铜芯；冷却装置，包括：第一陶瓷导热片，其靠近所述纳米壁层的一端架设有栅网；第二陶瓷导热片，其套设于第一陶瓷导热片的外部；半导体层，其填充于所述第一陶瓷导热片和第二陶瓷导热片之间；电源；其中，第二陶瓷导热片通过金属片与铜芯相连。本案采用二维网格结构的纳米壁使得阴极获得了更低的阻抗，有助于更大发射电流的产生；在纳米壁顶端桥接的金属层能够降低电子需要克服的功函数，增加可以利用的电子密度和二次电子发射能力；网格形状的栅极能够最大限度的提高电子的通过率。 |
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