| 专利名称 | 一种超辐射发光二极管芯片 | 申请号 | CN201520695330.7 | 专利类型 | 实用新型 | 公开（公告）号 | CN204905280U | 公开（授权）日 | 2015.12.23 | 申请（专利权）人 | 中国科学院福建物质结构研究所 | 发明（设计）人 | 薛正群;周东豪;王凌华;林琦;林中晞;陈阳华;苏辉 | 主分类号 | H01L33/00(2010.01)I | IPC主分类号 | H01L33/00(2010.01)I;H01L33/06(2010.01)I | 专利有效期 | 一种超辐射发光二极管芯片 至一种超辐射发光二极管芯片 | 法律状态 | 说明书摘要 | 本实用新型涉及一种超辐射发光二极管芯片，该超辐射发光二极管芯片包括：一次外延结构和二次外延结构，其中一次外延结构包括N-InP衬底(1)，以及在N-InP衬底(1)上依次生长的N-InP缓冲层(2)、InGaAsP下分别限制层(3)、有源层(4)、InGaAsP上分别限制层(5)和P-InP覆盖层(6)；二次外延结构包括在所述一次外延结构的脊两侧的底部表面依次生长的作为电流阻挡层的P-InP层(11)和N-InP层(12)，以及形成在电流阻挡层和脊顶部表面的P-InP、P-InGaAsP和P+-InGaAs层(13)。本实用新型制备的芯片具有低偏振、高输出功率、低光谱波纹的特点。 |
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