| 专利名称 | 一种钙钛矿型Sr2IrO4单晶薄膜材料的制备方法 | 申请号 | CN201510394987.4 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN105161217A | 公开（授权）日 | 2015.12.16 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 发明（设计）人 | 李明颖;沈大伟;杨海峰;刘正太;刘吉山;姚岐;樊聪聪 | 主分类号 | H01B13/00(2006.01)I | IPC主分类号 | H01B13/00(2006.01)I;C30B29/24(2006.01)I;C30B25/02(2006.01)I | 专利有效期 | 一种钙钛矿型Sr2IrO4单晶薄膜材料的制备方法 至一种钙钛矿型Sr2IrO4单晶薄膜材料的制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明提供一种钙钛矿型Sr2IrO4单晶薄膜材料的制备方法，所述制备方法至少包括：首先提供一SrTiO3衬底；然后对所述SrTiO3衬底进行预处理，获得具有单一终截面的SrTiO3衬底；接着对所述具有单一终截面的SrTiO3衬底依次进行清洗处理和退火处理；最后在氧化物分子束外延系统中，通入氧化源，并交替通入Sr单质蒸发源和Ir单质蒸发源，从而在所述SrTiO3衬底表面生长形成钙钛矿型Sr2IrO4单晶薄膜材料。本发明通过新型的氧化物分子束外延(Oxide?molecular?beam?epitaxy)技术，在面内晶格失配率较低的SrTiO3(001)衬底上制备出高质量的Sr2IrO4单晶薄膜，为实现高比例化学元素掺杂的Sr2IrO4单晶制备奠定基础。 |
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