| 专利名称 | PBN型InGaAs红外探测器 | 申请号 | CN201510527303.3 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN105185846A | 公开（授权）日 | 2015.12.23 | 申请（专利权）人 | 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 | 发明（设计）人 | 张志伟;缪国庆;宋航;蒋红;李志明;黎大兵;孙晓娟;陈一仁 | 主分类号 | H01L31/0304(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L31/0304(2006.01)I;H01L31/101(2006.01)I | 专利有效期 | PBN型InGaAs红外探测器 至PBN型InGaAs红外探测器 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种PBN型InGaAs红外探测器，属于光电子材料与器件技术领域。解决了现有技术中InGaAs探测器存在较多的暗电流的技术问题，进一步提高了InGaAs探测器的响应范围。该红外探测器，由从上至下依次排列的窗口层、阻挡层、吸收层、缓冲层和衬底组成，其中，阻挡层的材料为禁带宽度大于吸收层和窗口层的禁带宽度，且晶格与吸收层匹配的掺Si的InAlAs材料或者掺Si的InAsP材料，阻挡层的厚度为100-300nm。该红外探测器能够很好的抑制暗电流的产生，且具有高量子效率、低表面复合及更宽的响应范围，能够用于遥感探测。 |
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