| 专利名称 | 铋掺杂氧化锡薄膜的制备方法 | 申请号 | CN201510641492.7 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN105154841A | 公开（授权）日 | 2015.12.16 | 申请（专利权）人 | 中国科学院合肥物质科学研究院 | 发明（设计）人 | 刘倩文;潘书生;罗媛媛;李广海 | 主分类号 | C23C14/35(2006.01)I | IPC主分类号 | C23C14/35(2006.01)I;C23C14/08(2006.01)I | 专利有效期 | 铋掺杂氧化锡薄膜的制备方法 至铋掺杂氧化锡薄膜的制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种铋掺杂氧化锡薄膜的制备方法。它采用磁控溅射法，其主要步骤为将铋锡混合靶和石英玻璃分别置于磁控溅射设备真空室内的阴极上和样品台中后，先待真空室的真空度≤10-3Pa后，使真空室处于氩氧混合气氛下，溅射15～20min，得到溅射态薄膜，再待溅射态薄膜冷却至室温后，制得膜厚为80～120nm，膜中结晶态铋含量为1～3.8％，膜的电阻率≥4.22Ω·cm、可见光透过率为84.64～88.47％的铋掺杂氧化锡薄膜。制得的薄膜的厚度均匀且易于控制、膜层表面平坦致密，使其极易于在太阳能电池、光电子器件等领域得到广泛的应用。 |
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