| 专利名称 | 一种制备半导体氧化锌纳米材料的方法 | 申请号 | CN201510492307.2 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN105152201A | 公开（授权）日 | 2015.12.16 | 申请（专利权）人 | 中国科学院重庆绿色智能技术研究院 | 发明（设计）人 | 李昕;冯双龙;陆文强;刘双翼;何培培;李奇昆;李振湖;王亮;石彪 | 主分类号 | C01G9/02(2006.01)I | IPC主分类号 | C01G9/02(2006.01)I;B82Y30/00(2011.01)I;B82Y40/00(2011.01)I | 专利有效期 | 一种制备半导体氧化锌纳米材料的方法 至一种制备半导体氧化锌纳米材料的方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明提供一种制备半导体氧化锌纳米材料的方法，应用于纳米线制备技术领域，所述方法利用高温化学气相沉积方法，创新性采用纳米金刚石颗粒和氧化锌粉末混合物作为反应物，从而在基底上生长出氧化锌纳米线的方法，生长速度大幅提升，而且将反应温度降低至600℃，对比于传统利用石墨粉末和氧化锌纳米粉末的方法，本发明利用纳米金刚石颗粒表面积大，化学活性高的独特性质，达到了纳米线制备速度快，节能降耗的目的。 |
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