| 专利名称 | 二次电子特性参数的测量装置 | 申请号 | CN201520504454.2 | 专利类型 | 实用新型 | 公开（公告）号 | CN204807482U | 公开（授权）日 | 2015.11.25 | 申请（专利权）人 | 中国科学院高能物理研究所;东莞中子科学中心 | 发明（设计）人 | 王鹏程;刘瑜冬 | 主分类号 | G01N23/225(2006.01)I | IPC主分类号 | G01N23/225(2006.01)I | 专利有效期 | 二次电子特性参数的测量装置 至二次电子特性参数的测量装置 | 法律状态 | 说明书摘要 | 一种二次电子特性参数的测量装置，测量装置的二次电子探测器设置在真空室内，包括用于收集二次电子的侧部收集极和顶部收集极，侧壁收集极和顶部收集极围合成筒状，侧壁收集极和顶部收集极通过绝缘环隔离，电子枪贯穿顶部收集极伸入二次电子探测器内部。本申请提出了通过二次电子的空间分布特性、二次电子产额与入射角度的关系、二次电子的能谱分布特性来对二次电子特性进行分析，为材料在二次电子发射特性方面的研究提供了新的方向，为更好地认识材料的二次电子发射特性奠定了基础。本申请实施例提供的测量装置和方法不仅具有较优的操作性，而且通过其校验机制，能够较好地保证测量结果的准确性。 |
1、源头对接，价格透明
2、平台验证，实名审核
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