| 专利名称 | 一种改性非绝缘体纳米线及其制备方法、组装膜和器件 | 申请号 | CN201510397226.4 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN105036071A | 公开（授权）日 | 2015.11.11 | 申请（专利权）人 | 中国科学技术大学 | 发明（设计）人 | 俞书宏;曹付虎;张传玲 | 主分类号 | B82B1/00(2006.01)I | IPC主分类号 | B82B1/00(2006.01)I;B82B3/00(2006.01)I;B82Y30/00(2011.01)I;B82Y40/00(2011.01)I | 专利有效期 | 一种改性非绝缘体纳米线及其制备方法、组装膜和器件 至一种改性非绝缘体纳米线及其制备方法、组装膜和器件 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明提供了一种改性非绝缘体纳米线，由非绝缘体纳米线依次经过含酸化合物和端氨基聚合物修饰得到。本发明提供的改性非绝缘体纳米线采用含酸化合物和端氨基聚合物对非绝缘体纳米线进行修饰，采用不同分子量的端氨基聚合物修饰非绝缘体纳米线得到的修饰层的厚度不同，本发明可通过调控端氨基聚合物的分子量调节改性非绝缘体纳米线修饰层的厚度，进而利用这种厚度可调的改性非绝缘体纳米线制备纳米线间距可调的组装膜，采用这种改性非绝缘体纳米线制备纳米线间距可调的组装膜的方法工艺简单、便于操作，可大规模的调控组装膜中纳米线之间的距离。本发明还提供了一种改性非绝缘体纳米线的制备方法、组装膜和器件。 |
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