| 专利名称 | 制备铜锡硫或铜锡硫硒薄膜的方法 | 申请号 | CN201510354656.8 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN105047753A | 公开（授权）日 | 2015.11.11 | 申请（专利权）人 | 中国科学技术大学 | 发明（设计）人 | 朱长飞;王亚光;李建民;刘伟丰;江国顺 | 主分类号 | H01L31/18(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L31/18(2006.01)I;H01L21/02(2006.01)I;H01L21/477(2006.01)I | 专利有效期 | 制备铜锡硫或铜锡硫硒薄膜的方法 至制备铜锡硫或铜锡硫硒薄膜的方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本公开提供了一种制备铜锡硫或铜锡硫硒薄膜的方法，所述方法包括以下步骤：步骤一：清洗衬底，以获得清洁衬底；步骤二：在步骤一所述清洁衬底上以任意顺序通过溶液沉积法连续交替沉积SnS薄膜和Cu薄膜；步骤三：在硫气氛或者硒气氛下，将步骤二得到的含有Sn元素和Cu元素薄膜的叠层进行热处理，得到铜锡硫或铜锡硫硒薄膜。 |
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