| 专利名称 | 一种在碳化硅衬底上生长P型石墨烯的方法 | 申请号 | CN201410171889.X | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN105016328A | 公开（授权）日 | 2015.11.04 | 申请（专利权）人 | 中国科学院物理研究所 | 发明（设计）人 | 郭鈺;陈小龙;郭丽伟;芦伟;贾玉萍 | 主分类号 | C01B31/04(2006.01)I | IPC主分类号 | C01B31/04(2006.01)I | 专利有效期 | 一种在碳化硅衬底上生长P型石墨烯的方法 至一种在碳化硅衬底上生长P型石墨烯的方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明提供一种生长P型石墨烯的方法，包括：1）在含氮气氛中对SiC衬底进行退火，以在所述SiC衬底的表面吸附氮原子；2）采用SiC高温热分解法，在所述SiC衬底的所述表面生长石墨烯。 |
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