| 专利名称 | 一种制作选择性纳米织构化硅光电池的方法 | 申请号 | CN201510346116.5 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN105006495A | 公开（授权）日 | 2015.10.28 | 申请（专利权）人 | 中国科学院高能物理研究所 | 发明（设计）人 | 刘静;伊福廷;张天冲;王波;张新帅;孙钢杰 | 主分类号 | H01L31/0224(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L31/0224(2006.01)I;H01L31/18(2006.01)I | 专利有效期 | 一种制作选择性纳米织构化硅光电池的方法 至一种制作选择性纳米织构化硅光电池的方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种制作选择性纳米织构化硅光电池的方法，包括：对硅片进行三氯氧磷扩散形成P-N结结构；去除硅片背面及侧面的P-N结结构；在硅片正面蒸镀钛银层形成金属栅线电极，并在硅片背面形成铝背电极层；在金属栅线电极之上及未被金属栅线电极覆盖的硅片表面形成氯化铯纳米圆岛结构，以氯化铯纳米圆岛结构为掩膜刻蚀硅片，将氯化铯纳米圆岛结构转移到硅表面上，去除氯化铯纳米圆岛结构，在未被金属栅线电极覆盖的硅片表面获得硅纳米柱状结构；高温烧结，使金属栅线电极与硅片形成欧姆接触。本发明相对于常规方法减少了紫外光刻及套刻等步骤，工艺程序简单很多，成本随之降低，工艺难度也有所降低，更加适合工业生产。 |
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