| 专利名称 | 一种金纳米棒阵列及其制备方法和应用 | 申请号 | CN201510354816.9 | 专利类型 | 发明专利 | 公开(公告)号 | CN104999071A | 公开(授权)日 | 2015.10.28 | 申请(专利权)人 | 深圳先进技术研究院 | 发明(设计)人 | 喻学锋;唐思莹;李泳;李鹏辉;郭志男 | 主分类号 | B22F1/00(2006.01)I | IPC主分类号 | B22F1/00(2006.01)I;G01N21/65(2006.01)I;B82Y40/00(2011.01)I | 专利有效期 | 一种金纳米棒阵列及其制备方法和应用 至一种金纳米棒阵列及其制备方法和应用 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种金纳米棒阵列的制备方法,该方法包括:制备十六烷基三甲基溴化铵(CTAB)修饰的金纳米棒水溶液,并调整金纳米棒、CTAB的最终浓度分别为0.2-0.6nmol/L、0.5-2mmol/L,并加入巯基化合物搅拌,得到混合溶液,并使巯基化合物的最终浓度为0.01-0.2mmol/L,将上述混合溶液浓缩后滴到亲水性平面基片上,自然干燥后得到金纳米棒阵列。所述金纳米棒阵列的制备方法操作简单、条件温和,所制备的金纳米棒阵列结构规整,且为肉眼可见的毫米级别,其表面具有均匀分布的SERS“热点”,有利于其用作SERS增强基底。本发明还提供了一种金纳米棒阵列及其应用。 |
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