| 专利名称 | 一种室温、极低温两用的宽频带低噪声放大器 | 申请号 | CN201520435391.X | 专利类型 | 实用新型 | 公开（公告）号 | CN204721318U | 公开（授权）日 | 2015.10.21 | 申请（专利权）人 | 中国科学技术大学 | 发明（设计）人 | 郭国平;郑智雄;李海鸥;曹刚;肖明;郭光灿 | 主分类号 | H03F1/26(2006.01)I | IPC主分类号 | H03F1/26(2006.01)I;H03F1/42(2006.01)I | 专利有效期 | 一种室温、极低温两用的宽频带低噪声放大器 至一种室温、极低温两用的宽频带低噪声放大器 | 法律状态 | 说明书摘要 | 本实用新型公开了一种室温、极低温两用的宽频带低噪声放大器，包括：用于降低赝高电子迁移率晶体管PHEMT在一定工作频带内输入的反射损耗与噪声的输入匹配电路；用于给PHEMT提供所需偏置电压和电流并控制放大器整体功耗保持在最低门限水平、提升放大器稳定性，以及使放大器在一定工作频带内产生的增益高且平坦的级间匹配电路；以及用于降低PHEMT在一定工作频带内输出反射损耗的输出匹配电路；其中，所述输入匹配电路、级间匹配电路与输出匹配电路依次串联。该放大器能在室温和极低温下稳定工作，在所设计的较宽的工作频带内实现信号放大并抑制噪声，并且在极低温下所产生的功耗较低，不会引起制冷系统温度升高。 |
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