| 专利名称 | 大尺寸非极性A面GaN自支撑衬底的制备方法 | 申请号 | CN201510270779.3 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN104993012A | 公开（授权）日 | 2015.10.21 | 申请（专利权）人 | 中国科学院半导体研究所 | 发明（设计）人 | 李辉杰;杨少延;魏鸿源;赵桂娟;汪连山;李成明;刘祥林;王占国 | 主分类号 | H01L31/18(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L31/18(2006.01)I | 专利有效期 | 大尺寸非极性A面GaN自支撑衬底的制备方法 至大尺寸非极性A面GaN自支撑衬底的制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明提供了一种大尺寸非极性A面GaN自支撑衬底的制备方法，属于光电子器件的制备领域。本发明区别于现有技术的核心是：在衬底外延生长表面上形成一掩膜层，通过光刻和刻蚀工艺使掩膜层形成图形结构，随后生长非极性A面GaN厚膜，通过GaN横向合并或者腐蚀去除掩膜层在GaN厚膜底部形成孔洞结构，然后采用腐蚀方法将GaN厚膜与衬底进行剥离，进而得到非极性A面GaN自支撑衬底。本发明容易制备大尺寸的A面GaN衬底，将A面GaN厚膜与衬底剥离的过程中，不需要复杂昂贵的激光剥离设备，其工艺简单且成本较低，易于实现大规模生产使用。 |
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