| 专利名称 | 一种纳米图形化方法 | 申请号 | CN201510275200.2 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN104986722A | 公开（授权）日 | 2015.10.21 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所;德国亥姆霍兹德累斯顿罗森多夫研究中心 | 发明（设计）人 | 欧欣;斯蒂芬·福斯柯;贾棋;王曦 | 主分类号 | B81C1/00(2006.01)I | IPC主分类号 | B81C1/00(2006.01)I;B82Y40/00(2011.01)I | 专利有效期 | 一种纳米图形化方法 至一种纳米图形化方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明提供一种纳米图形化的方法，所制备结构单元具有周期性排列，所述纳米图形化方法包括以下步骤：提供至少由两种化学元素组成的单晶材料的衬底；对衬底或表面进行加热；利用离子束辐照衬底表面，在衬底表面产生空位。 |
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