| 专利名称 | III V族纳米结构及其制作方法 | 申请号 | CN201410140814.5 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN104973558A | 公开（授权）日 | 2015.10.14 | 申请（专利权）人 | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 | 发明（设计）人 | 潘革波;邓凤祥;胡立峰;赵宇 | 主分类号 | B81B1/00(2006.01)I | IPC主分类号 | B81B1/00(2006.01)I;B81C1/00(2006.01)I;B82Y30/00(2011.01)I;B82Y40/00(2011.01)I | 专利有效期 | III V族纳米结构及其制作方法 至III V族纳米结构及其制作方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本申请公开了一种III-V族纳米结构，包括III-V族基底以及形成于所述III-V族基底上的多孔结构，所述每个孔包括上下相通的多个六方体空间。本申请还公开了一种III-V族纳米结构的制备方法。本发明合成的III-V族三维层状多孔纳米结构材料在结构上，具备纯度高，形貌结构一致（呈六方状），层状分布明显等特点；在制备工艺上，具备反应条件温和，设备简单，工艺条件易控，而且成本低等优点，并符合实际生产的需要。该新颖结构有望应用于III-V族基的先进光学电子器件中，包括LED，生物化学传感器，太阳能电池，光学元器件等。 |
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