| 专利名称 | 一种两步法生长的高密度、高导电、高导热性的石墨烯材料及其制备方法 | 申请号 | CN201410145144.6 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN104973589A | 公开（授权）日 | 2015.10.14 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海硅酸盐研究所 | 发明（设计）人 | 黄富强;黄海宁;毕辉 | 主分类号 | C01B31/04(2006.01)I | IPC主分类号 | C01B31/04(2006.01)I | 专利有效期 | 一种两步法生长的高密度、高导电、高导热性的石墨烯材料及其制备方法 至一种两步法生长的高密度、高导电、高导热性的石墨烯材料及其制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明涉及一种两步法生长的高密度、高导电、高导热性的石墨烯材料及其制备方法，所述石墨烯材料通过两步化学气相沉淀法得到，石墨烯层数控制在1-2000层；所述石墨烯材料具有微观三维联通多孔结构。 |
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