| 专利名称 | 晶体硅太阳电池及其制备方法 | 申请号 | CN201510394993.X | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN104966744A | 公开（授权）日 | 2015.10.07 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 发明（设计）人 | 卞剑涛;祝方舟;刘正新 | 主分类号 | H01L31/0224(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L31/0224(2006.01)I;H01L31/0216(2014.01)I;H01L31/0236(2006.01)I;H01L31/18(2006.01)I | 专利有效期 | 晶体硅太阳电池及其制备方法 至晶体硅太阳电池及其制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明提供了一种高效晶体硅太阳电池及其制备方法，该太阳电池结构相比于传统结构，在倒金字塔结构表面还具有微绒结构，该结构可进一步减少光反射，提高器件的光谱响应。该技术适用于p型和n型太阳电池，采用离子注入实现p+层和n+层的掺杂制备，通过对重掺杂层的选择性腐蚀得到p+层或n+层上表面的微绒结构。本发明技术有利于晶体硅太阳电池性能的提高。 |
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