| 专利名称 | 桥式输入电阻负反馈的CMOS前放电路 | 申请号 | CN201520372601.5 | 专利类型 | 实用新型 | 公开（公告）号 | CN204681319U | 公开（授权）日 | 2015.09.30 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海技术物理研究所 | 发明（设计）人 | 袁红辉;陈世军;陈永平 | 主分类号 | H03F1/34(2006.01)I | IPC主分类号 | H03F1/34(2006.01)I;H03F3/45(2006.01)I | 专利有效期 | 桥式输入电阻负反馈的CMOS前放电路 至桥式输入电阻负反馈的CMOS前放电路 | 法律状态 | 说明书摘要 | 本专利公开了一种桥式输入电阻负反馈CMOS前放电路，由输入部分和放大部分构成，输入部分与放大部分直接耦合相连。该电路在输入部分采用平衡桥式输入结构，输入部分的两条支路均采用1K欧姆偏置电阻，一条支路与探测器相连，形成一条通路，另一条支路与盲元相连，形成另一条通路，两条通路构成平衡桥式结构。为满足不同的放大倍数要求，适应不同响应率探测器信号的放大读出，放大部分采用可变增益的电阻负反馈结构，放大部分的负输入端与输出端之间采用可供选择的5M、2M或1M欧姆的反馈电阻，通过两个MOS开关控制形成不同大小的反馈电阻。为使电路能在液氮低温下工作，放大部分中的差分放大器采用共源共栅结构，正负电源供电。 |
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