| 专利名称 | 硒气压可控的铜铟镓硒薄膜硒化装置 | 申请号 | CN201520372503.1 | 专利类型 | 实用新型 | 公开（公告）号 | CN204680681U | 公开（授权）日 | 2015.09.30 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海技术物理研究所 | 发明（设计）人 | 褚君浩;孙雷;马建华;姚娘娟;江锦春 | 主分类号 | H01L31/18(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L31/18(2006.01)I;H01L21/67(2006.01)I;C01B19/00(2006.01)I | 专利有效期 | 硒气压可控的铜铟镓硒薄膜硒化装置 至硒气压可控的铜铟镓硒薄膜硒化装置 | 法律状态 | 说明书摘要 | 本专利公开了一种可控制硒气压的制备铜铟镓硒薄膜的硒化装置，该硒化装置由石英腔体、真空系统、气体流量控制系统、加热系统和石墨盒构成，其特征在于，石墨盒上除了常规的上盖以外，还在上盖中间开孔，并在此开孔中放置一个圆锥体型小盖子，通过改变小盖子质量和开孔面积可以调节石墨盒内的硒气压。本专利的优点在于：装置提高了铟镓硒薄膜固态源硒化过程的可控性、稳定性和重复性。 |
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