| 专利名称 | 一种无硼或稀土元素的致密碳化硅陶瓷的制备方法 | 申请号 | CN201510323350.6 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN104926309A | 公开（授权）日 | 2015.09.23 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海硅酸盐研究所 | 发明（设计）人 | 刘桂玲;苏碧哲;黄政仁;刘学建;陈忠明;杨勇;姚秀敏 | 主分类号 | C04B35/565(2006.01)I | IPC主分类号 | C04B35/565(2006.01)I;C04B35/622(2006.01)I | 专利有效期 | 一种无硼或稀土元素的致密碳化硅陶瓷的制备方法 至一种无硼或稀土元素的致密碳化硅陶瓷的制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明涉及一种无硼或稀土元素的致密碳化硅陶瓷的制备方法，包括：1）将铝源、碳源、碳化硅粉体和无水乙醇均匀混合后烘干、研磨过筛后得到混合粉体，并采用混合粉体压制得到陶瓷素坯；2）将陶瓷素坯在真空、650℃～1050℃下加热裂解；3）将热裂解后的陶瓷坯体在氮气气氛、1550℃～1750℃下进行碳热还原反应；4）将碳热还原反应后的陶瓷素坯在惰性气氛、2050℃～2300℃下烧结得到致密碳化硅陶瓷。采用本发明方法制备的碳化硅陶瓷中含有Si、Al、C、O和N元素，均为中子吸收截面小的元素，不含中子吸收截面大的B或稀土元素。 |
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