| 专利名称 | 一种氮化铝改性的碳化硅陶瓷粉体及其制备方法 | 申请号 | CN201510323372.2 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN104926310A | 公开（授权）日 | 2015.09.23 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海硅酸盐研究所 | 发明（设计）人 | 刘桂玲;苏碧哲;黄政仁;刘学建;陈忠明;杨勇;姚秀敏 | 主分类号 | C04B35/565(2006.01)I | IPC主分类号 | C04B35/565(2006.01)I;C04B35/63(2006.01)I | 专利有效期 | 一种氮化铝改性的碳化硅陶瓷粉体及其制备方法 至一种氮化铝改性的碳化硅陶瓷粉体及其制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明涉及一种氮化铝改性的碳化硅陶瓷粉体及其制备方法，包括：1）将铝源、碳源、碳化硅粉体和无水乙醇均匀混合后烘干、研磨过筛、并干压成型得到陶瓷素坯；2）将陶瓷素坯在真空条件、600℃～1050℃下加热裂解；3）将热裂解后的陶瓷素坯在氮气气氛、1500℃～1750℃下进行碳热还原反应；4）将碳热还原反应后的陶瓷素坯研磨过筛，即得到氮化铝和碳改性的碳化硅陶瓷粉体。采用本发明方法制备的氮化铝改性的碳化硅陶瓷粉体中，氮化铝固溶进入碳化硅晶格，后期烧结实验结果表明粉体烧结活性得到了提高。 |
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