| 专利名称 | 一种低损伤的铟镓砷探测器p+n结制备方法 | 申请号 | CN201510296103.1 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN104916731A | 公开（授权）日 | 2015.09.16 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海技术物理研究所 | 发明（设计）人 | 曹高奇;唐恒敬;程吉凤;石铭;王瑞;邵秀梅;李庆法;李雪;龚海梅 | 主分类号 | H01L31/101(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L31/101(2006.01)I;H01L31/18(2006.01)I | 专利有效期 | 一种低损伤的铟镓砷探测器p+n结制备方法 至一种低损伤的铟镓砷探测器p+n结制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种低损伤的铟镓砷探测器p+n结制备方法，具体步骤如下：1)淀积氮化硅成结掩膜，2)光敏区成结，3)取样清洗，4)氮气氛围热处理，5)去表面损伤层。其优点在于：氮气氛围热处理一方面能够修复成结过程引入的晶格损伤,减小复合中心的密度，降低探测器的暗电流，另一方面能够激活受主离子，降低施主补偿作用，增加P区的空穴载流子浓度，有利于P电极欧姆接触的稳定性，减小串联电阻；去表面损伤层一方面可以有效去除表面氧化层，减少表面的复合中心，有利于表面钝化，提高探测器的性能，另一方面可以去除表面形成的离子富集层和表层损伤层。 |
1、源头对接，价格透明
2、平台验证，实名审核
3、合同监控，代办手续
4、专员跟进，交易保障