| 专利名称 | 结终端延伸的终端版图结构及其终端结构 | 申请号 | CN201520087935.8 | 专利类型 | 实用新型 | 公开（公告）号 | CN204632762U | 公开（授权）日 | 2015.09.09 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所;上海联星电子有限公司;江苏中科君芯科技有限公司 | 发明（设计）人 | 褚为利;朱阳军;陆江;卢烁今;田晓丽 | 主分类号 | H01L29/06(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L29/06(2006.01)I;H01L27/02(2006.01)I | 专利有效期 | 结终端延伸的终端版图结构及其终端结构 至结终端延伸的终端版图结构及其终端结构 | 法律状态 | 说明书摘要 | 本实用新型公开了一种结终端延伸的终端版图结构，包括有源区，有源区内具有至少一个绝缘栅双极晶体管IGBT元包结构，元包结构为并联结构，有共同的发射极电极、集电极电极和栅极电极；包围有源区外围为至少一圈呈涡旋状的P型注入的窗口，每一圈注入窗口之间，从横截面看，间隔一定距离；通过注入窗口能够形成从横截面看相互独立的P型轻掺杂区，经过一定时间的高温退火后，P型轻掺杂区相互连接，能够形成从有源区到芯片的边沿区掺杂浓度逐渐降低，结深也逐渐降低的P型轻掺杂区。本实用新型还公开了三种结终端延伸的终端结构。本实用新型能够提高终端的耐压性和降低终端设计的复杂性。 |
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