| 专利名称 | 一种Cu2SnSe3热电材料的快速制备方法 | 申请号 | CN201510342233.4 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN104894422A | 公开（授权）日 | 2015.09.09 | 申请（专利权）人 | 中国科学院理化技术研究所 | 发明（设计）人 | 刘光华;陈克新;李江涛 | 主分类号 | C22C1/05(2006.01)I | IPC主分类号 | C22C1/05(2006.01)I | 专利有效期 | 一种Cu2SnSe3热电材料的快速制备方法 至一种Cu2SnSe3热电材料的快速制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开一种Cu2SnSe3热电材料的快速制备方法，其包括如下步骤：1)将Cu、Sn和Se粉末混合均匀并压制成反应物坯体，然后置于燃烧容器中；2)将步骤1)所述燃烧容器置于反应设备中，并使燃烧容器高速旋转；3)转速在1500-3000转/分时，点燃反应物。本发明的方法能够快速制备气孔率≤1％的致密Cu2SnSe3块体材料，纯度高，不含有除Cu2SnSe3之外的杂质。本发明通过燃烧反应加旋转，直接一步就得到致密块体，不需要后续烧结。 |
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