| 专利名称 | 红外光电探测器及其制造方法 | 申请号 | CN201510300412.1 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN104900731A | 公开（授权）日 | 2015.09.09 | 申请（专利权）人 | 中国科学院半导体研究所 | 发明（设计）人 | 任飞;刘舒曼;王风娇;翟胜强;梁平;刘峰奇;王占国 | 主分类号 | H01L31/0352(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L31/0352(2006.01)I;H01L31/0304(2006.01)I;H01L31/101(2006.01)I;H01L31/18(2006.01)I | 专利有效期 | 红外光电探测器及其制造方法 至红外光电探测器及其制造方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种红外探测器及其制造方法，该红外探测器包括衬底、下接触层、周期性的量子点量子阱混杂结构、上接触层、顶部环状电极及底部环状电极；其中，下接触层外延于衬底上；周期性的量子点量子阱混杂结构外延于下接触层上；上接触层外延于周期性的量子点量子阱混杂结构上；底部环状电极形成于刻蚀上接触层和周期性的量子点量子阱混杂结构而露出的下接触层的表面；顶部环状电极形成于刻蚀上接触层和周期性的量子点量子阱混杂结构而剩余的上接触层的表面。本发明的红外光电探测器能响应正入射光，并具有低暗电流、高响应率及探测率的优点。 |
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